低能量雷射與內皮細胞相關論文探討

LLLT 低能量雷射對內皮細胞培養的影響

Original Article

Effect of LLLT on endothelial cells culture

Krzysztof G?ralczyk, Justyna Szyma?ska, Ma?gorzata ?ukowicz, Ewelina Drela, Roman Kotzbach,
Mariusz Dubiel, Ma?gorzata Michalska,Barbara G?ralczyk, Andrzej Zaj?c,＆ Danuta Ro??
Lasers in Medical Science volume 30, pages273–278 (2015)

關鍵詞
Low-level laser therapy, LLLT, Endothelial cells, VEGF, sVEGFR-1, sVEGFR-2

摘要
由內皮細胞產生的生長因子作為血管內皮生長因子（VEGF），在病理和生理血管生成中起重要作用。
透過雷射照射的過程可能有助於改善血管生成。

因此，本研究的目的是研究低能量雷射治療 (LLLT) 對血管內皮細胞增殖、VEGF-A 分泌和可溶性 VEGF 受體 (sVEGFR-1
和 sVEGFR-2) 存在的影響。 體外培養後的培養基。
使用波長為635nm和功率密度為 1,875mW/cm2的二極體雷射，照射分離的人類臍帶靜脈內皮細胞 (HUVEC) 。
根據雷射能量密度，實驗分四組進行：I 0J/cm2（對照組）、, II 2J/cm2, III 4J/cm2, 和 IV 8J/cm2。
使用波長為635nm 的雷射照射與內皮細胞增殖的統計學顯著增加有關 (p = 0.0041)。
此外，在635nm波長的雷射照射，所有的劑量都顯著降低了sVEGFR-1 (p = 0.0197)的濃度。

結論
1.635 nm (1,875 mW/cm 2 ) 的低能量雷射治療顯著增加了 HUVEC 的數量。
2.635 nm (1,875 mW/cm 2 ) 的低能量雷射治療顯著降低了可溶性 VEGFR-1 的濃度。

低能量雷射光療對內皮細胞增殖和血管內皮生長因子及 轉化生長因子-β分泌的影響

Original Article

Phototherapy with low-level laser influences the proliferation of endothelial cells
and vascular endothelial growth factor and transforming growth factor-beta secretion


J Szymanska 1, K Goralczyk, J J Klawe, M Lukowicz, M Michalska, B Goralczyk, P Zalewski, J L Newton, L Gryko,
A Zajac, D Rosc
J Physiol Pharmacol. 2013 Jun;64(3):387-91. PMID: 23959736

摘要
癒合過程和與之相關的血管生成是一個非常重要但目前所知之甚少的領域。據報導，低能量雷射療法 (LLLT) 通過刺激細胞反應
（如遷移、增生、凋亡和細胞分化）來調節組織修復過程。

這項研究的目的是評估可見光和紅外光範圍內的雷射照射對體外血管內皮細胞增殖和血管生成因子分泌的影響：
血管內皮生長因子 (VEGF)-A 和轉化生長因子(TGF)-β。

人類血管內皮細胞 (Ecs) 暴露於波長為 635nm (1.875 mW/cm2) 和 830nm (3.75 mW/cm2) 的雷射照射下。
根據雷射能量密度，實驗分四組進行：
I）對照組（無雷射，0 J/cm2）；II) 635 nm - 能量密度為 2 J/cm2；III) 635nm - 4 J/cm2；IV635nm - 8 J/cm2,
II) 830nm - 能量密度為 2 J/cm2；III) 830nm - 4 J/cm2；IV) 830nm - 8 J/cm2。

檢查VEGF-A和TGF-β的增殖和濃度。波長為 635nm 的 LLLT 可增加內皮細胞增殖。
內皮細胞增殖的顯著增加和 VEGF 濃度的相應降低，可能顯示 VEGF 在該過程中的作用。
830nm 的波長與 TGF-β 分泌減少有關。IV) 830nm - 8 J/cm2。檢查VEGF-A和TGF-β的增殖和濃度。

波長為 635nm 的 LLLT 可增加內皮細胞增殖。
內皮細胞增殖的顯著增加和VEGF 濃度的相應降低可能表明 VEGF 在該過程中的作用。
830nm 的波長與 TGF-β 分泌減少有關。IV) 830nm - 8 J/cm2。

檢查VEGF-A和TGF-β的增殖和濃度。波長為 635nm 的 LLLT 可增加內皮細胞增殖。內皮細胞增殖的顯著增加和
VEGF 濃度的相應降低
可能表現 VEGF 在該過程中的作用。830nm 的波長與 TGF-β 分泌減少有關。

低能量氦氖雷射照射增強血管內皮生長因子的產生， 促進體外內皮細胞的生長

Original Article

Low-power helium: Neon laser irradiation enhances production of vascular endothelial growth factor
and promotes growth of endothelial cells in vitro

Nicholas Kipshidze MD, PhD,Victor Nikolaychik MD, PhD,Michael H. Keelan MD,Latha Raja Shankar MD,
Ashwani Khanna PhD,Ran Kornowski MD,Martin Leon MD,Jeffrey Moses MD
First published: 02 May 2001 https://doi.org/10.1002/lsm.1062

背景與目的
許多報告顯示，低能量雷射照射 (LPLI) 能夠在沒有顯著熱效應的情況下影響細胞過程。
本研究的目的是確定 LPLI 對體外血管內皮生長因子 (VEGF) 分泌和人內皮細胞 (EC) 增殖的影響。

結果
我們觀察到
(1)血管和心臟細胞的 LPLI 導致培養物中 VEGF 分泌的統計學顯著增加（SMC 和成纖維細胞為 1.6 倍，心肌細胞為 7 倍）
並且是依劑量（LPLI 、雷射照度觀察到最大效果SMC為 0.5 J/cm 2 ，成纖維細胞為2.1 J/ cm 2 ，心肌細胞為 1.05 J/cm 2）。
(2) 用LPLI處理的SMC條件培養基顯著刺激內皮細胞生長(用LPLI條件培養基觀察到最大增加，
SMC輻照度為1.05 J/ cm 2 ，成纖維細胞雷射照度為2.1 J/cm 2。

結論
我們的研究顯示，低能量雷射照射可增加 SMC、成纖維細胞和心肌細胞產生 VEGF，並刺激培養中的 EC 生長。
這些數據可能對建立腔內血管成形術後血管修復和心肌光血管生成的新方法具有重要意義。

雷射外科雜誌。醫學。28:355–364, 2001. (C) 2001 Wiley-Liss, Inc.